DHD50N06FZC Todos los transistores

 

DHD50N06FZC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHD50N06FZC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 608 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DHD50N06FZC

 

Principales características: DHD50N06FZC

 7.1. Size:891K  cn wxdh
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DHD50N06FZC

DHB50N03/DHD50N03 50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 6.0m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 50A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo

Otros transistores... DHI50N06FZC , DHI50N15 , DHI8004 , DHI80N08B22 , DHI8290 , DHI85N08 , DHD8290 , DHD90N03B17 , IRF640N , DHD80N08B22 , DHD90N045R , DHS025N06 , DHS025N06E , DHS025N10 , DHS025N10B , DHS025N10D , DHS025N10E .

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