DHD50N06FZC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHD50N06FZC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 143 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 82 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHD50N06FZC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHD50N06FZC даташит

 ..1. Size:1704K  cn wxdh
 dh50n06fzc dhf50n06fzc dhi50n06fzc dhe50n06fzc dhb50n06fzc dhd50n06fzc.pdf pdf_icon

DHD50N06FZC

 7.1. Size:891K  cn wxdh
 dhb50n03 dhd50n03.pdf pdf_icon

DHD50N06FZC

DHB50N03/DHD50N03 50A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 30V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 6.0m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 50A 3 S D Low switching loss Low on resistance Low gate charge Lo

Другие IGBT... DHI50N06FZC, DHI50N15, DHI8004, DHI80N08B22, DHI8290, DHI85N08, DHD8290, DHD90N03B17, IRF640N, DHD80N08B22, DHD90N045R, DHS025N06, DHS025N06E, DHS025N10, DHS025N10B, DHS025N10D, DHS025N10E