E110N04 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: E110N04  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO263

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E110N04 datasheet

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E110N04

110N04/F110N04/I110N04/ E110N04/B110N04/D110N04 160A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs Used V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with the R = 3.5m DS(on) TYP) RoHS standard. I = 160A D 2 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson

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E110N04

SSE110N03-03P 110A , 30V , RDS(ON) 2.5m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TO-220P DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a D High Cell Density trench process to provide low RDS(on) C and to ensure minimal power loss and heat dissipatio

 9.1. Size:367K  st
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E110N04

STE110NA20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STE110NA20 200 V

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E110N04

STE110NS20FD N-channel 200V - 0.022 - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STE110NS20FD 200V

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