E13N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: E13N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO263

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E13N50 datasheet

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E13N50

E13N50 13A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 500V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 13.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) =0.35 2 Features Fast switching ESD im

Otros transistores... DHS025N10B, DHS025N10D, DHS025N10E, DHS025N10U, DHS025N88, DHS025N88B, DHS025N88D, E110N04, IRF9540, E20N50, E25N10, E50N06, E630, E640, E740, E80N06, ED120N10ZR