E13N50 Todos los transistores

 

E13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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E13N50 Datasheet (PDF)

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E13N50

E13N5013A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 500Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 13.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=0.352 Features Fast switching ESD im

Otros transistores... DHS025N10B , DHS025N10D , DHS025N10E , DHS025N10U , DHS025N88 , DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , AO3400 , E20N50 , E25N10 , E50N06 , E630 , E640 , E740 , E80N06 , ED120N10ZR .

History: JMSH0601AG | F14N65

 

 
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