E13N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E13N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для E13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E13N50 даташит

 ..1. Size:1192K  cn wxdh
 e13n50.pdf pdf_icon

E13N50

E13N50 13A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-aligned V DSS = 500V planar technology which reduce the conduction loss, improve switching I = 13.0A D performance and enhance the avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. R DS(on) TYP) =0.35 2 Features Fast switching ESD im

Другие IGBT... DHS025N10B, DHS025N10D, DHS025N10E, DHS025N10U, DHS025N88, DHS025N88B, DHS025N88D, E110N04, IRF9540, E20N50, E25N10, E50N06, E630, E640, E740, E80N06, ED120N10ZR