Справочник MOSFET. E13N50

 

E13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: E13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для E13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1192K  cn wxdh
 e13n50.pdf pdf_icon

E13N50

E13N5013A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the self-alignedVDSS = 500Vplanar technology which reduce the conduction loss, improve switchingI = 13.0ADperformance and enhance the avalanche energy. Which accords with theRoHS standard.RDS(on)TYP)=0.352 Features Fast switching ESD im

Другие MOSFET... DHS025N10B , DHS025N10D , DHS025N10E , DHS025N10U , DHS025N88 , DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , K3569 , E20N50 , E25N10 , E50N06 , E630 , E640 , E740 , E80N06 , ED120N10ZR .

History: E80N06 | F14N65 | IRFP340A

 

 
Back to Top

 


 
.