E20N50 Todos los transistores

 

E20N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E20N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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E20N50 Datasheet (PDF)

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E20N50

20N50/F20N50/I20N50/E20N5020A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese silicon N-channel enhanced vdmosfets, is obtained2 DV = 500VDSSby the self-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andR = 0.24DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 20A3 S D

Otros transistores... DHS025N10D , DHS025N10E , DHS025N10U , DHS025N88 , DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , 2N7000 , E25N10 , E50N06 , E630 , E640 , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 .

 

 
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