E20N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: E20N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 277 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO263

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E20N50 datasheet

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E20N50

20N50/F20N50/ I20N50/E20N50 20A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These silicon N-channel enhanced vdmosfets, is obtained 2 D V = 500V DSS by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 0.24 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 20A 3 S D

Otros transistores... DHS025N10D, DHS025N10E, DHS025N10U, DHS025N88, DHS025N88B, DHS025N88D, E110N04, E13N50, AON7408, E25N10, E50N06, E630, E640, E740, E80N06, ED120N10ZR, EN6005