Справочник MOSFET. E20N50

 

E20N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: E20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для E20N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1298K  cn wxdh
 20n50 f20n50 i20n50 e20n50.pdf pdf_icon

E20N50

20N50/F20N50/I20N50/E20N5020A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese silicon N-channel enhanced vdmosfets, is obtained2 DV = 500VDSSby the self-aligned planar technology which reduce theconduction loss, improve switching performance andR = 0.24DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 20A3 S D

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: E110N04 | CS1N65A1

 

 
Back to Top

 


 
.