E20N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E20N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для E20N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E20N50 даташит

 ..1. Size:1298K  cn wxdh
 20n50 f20n50 i20n50 e20n50.pdf pdf_icon

E20N50

20N50/F20N50/ I20N50/E20N50 20A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These silicon N-channel enhanced vdmosfets, is obtained 2 D V = 500V DSS by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 0.24 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 20A 3 S D

Другие IGBT... DHS025N10D, DHS025N10E, DHS025N10U, DHS025N88, DHS025N88B, DHS025N88D, E110N04, E13N50, AON7408, E25N10, E50N06, E630, E640, E740, E80N06, ED120N10ZR, EN6005