E20N50 - аналоги и даташиты транзистора

 

E20N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: E20N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для E20N50

 

E20N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1298K  cn wxdh
 20n50 f20n50 i20n50 e20n50.pdf pdf_icon

E20N50

20N50/F20N50/ I20N50/E20N50 20A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These silicon N-channel enhanced vdmosfets, is obtained 2 D V = 500V DSS by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 0.24 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 20A 3 S D

Другие MOSFET... DHS025N10D , DHS025N10E , DHS025N10U , DHS025N88 , DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , AON7408 , E25N10 , E50N06 , E630 , E640 , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 .

History: DHS025N10U | DSB190N10L3

 

 
Back to Top

 


 
.