E25N10 Todos los transistores

 

E25N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E25N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 107 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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Principales características: E25N10

 ..1. Size:1238K  cn wxdh
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E25N10

25N10/F25N10/I25N10/ E25N10/B25N10/D25N10 25A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs Used V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with the R = 30m DS(on) TYP) RoHS standard. I = 25A D 2 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 36m )

 9.1. Size:2213K  matsuki electric
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E25N10

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

Otros transistores... DHS025N10E , DHS025N10U , DHS025N88 , DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , E20N50 , 2SK3878 , E50N06 , E630 , E640 , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 , F10N50 .

History: DJC070N60F | CEM2187 | E740 | DHS044N12U | ATM9435PPA | SSD50P03-09D | AP3P06MI

 

 
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