E25N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

E25N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: E25N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для E25N10

 

E25N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1238K  cn wxdh
 25n10 f25n10 i25n10 e25n10 b25n10 d25n10.pdf pdf_icon

E25N10

25N10/F25N10/I25N10/ E25N10/B25N10/D25N10 25A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel Enhanced VDMOSFETs Used V = 100V DSS advanced trench technology design, provided excellent RDSON and low gate charge. Which accords with the R = 30m DS(on) TYP) RoHS standard. I = 25A D 2 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson 36m )

 9.1. Size:2213K  matsuki electric
 me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

E25N10

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

Другие MOSFET... DHS025N10E , DHS025N10U , DHS025N88 , DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , E20N50 , 2SK3878 , E50N06 , E630 , E640 , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 , F10N50 .

History: SSH15N55A | CEM2187 | DJC070N60F | ATM9435PPA | DHS044N12U | SSD50P03-09D | E740

 

 
Back to Top

 


 
.