Справочник MOSFET. E25N10

 

E25N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: E25N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 61 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 107 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для E25N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E25N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1238K  cn wxdh
 25n10 f25n10 i25n10 e25n10 b25n10 d25n10.pdf pdf_icon

E25N10

25N10/F25N10/I25N10/E25N10/B25N10/D25N1025A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel Enhanced VDMOSFETs UsedV = 100VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRDSON and low gate charge. Which accords with theR = 30mDS(on) TYP)RoHS standard.I = 25AD2 Features Fast Switching Low ON Resistance(Rdson36m)

 9.1. Size:2213K  matsuki electric
 me25n15al me25n15al-g.pdf pdf_icon

E25N10

ME25N15AL/ME25N15AL-G N- Channel 150V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME25N15AL is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 78m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON)trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-r

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.