E630 Todos los transistores

 

E630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 94 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de E630 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

E630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1604K  cn wxdh
 630 f630 i630 e630 b630 d630.pdf pdf_icon

E630

630/F630/I630/E630/B630/D6309A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 200Vself-aligned planar technology which reduce the conduction DSSloss, improve switching performance and enhance theR = 0.23DS(on) (TYP)Gavalanche energy. Which accords with the RoHS standard.1I = 9A3 S D2 Feature

 0.1. Size:220K  kia
 kne6303a.pdf pdf_icon

E630

12A, 30VN-CHANNELMOSFETKNX6303AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2.Applications Vds=30V R =9.0m(typ.),VGS@10V,Ids@12ADS(ON) R =11.5m(typ.),VGS@4.5V,Ids@6ADS(ON)3. PinconfigurationPin Functio

 0.2. Size:640K  cn sino-ic
 se630k.pdf pdf_icon

E630

SE630KN-Channel Enhancement-Mode MOSFETRevision: AGeneral Description FeaturesThis type used advanced trench technology For a single MOSFETand design to provide excellent RDS(ON) with V = 200VDSlow gate charge. It can be used in a wide R =260m @ V =10VDS(ON) GSvariety of applicationPin configurationsSee Diagram belowTO-252Absolute Maximum RatingsParameter

Otros transistores... DHS025N88 , DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , E20N50 , E25N10 , E50N06 , K4145 , E640 , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 , F10N50 , F10N60 , F10N70 .

 

 
Back to Top

 


 
.