E630 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E630  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для E630

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E630 даташит

 ..1. Size:1604K  cn wxdh
 630 f630 i630 e630 b630 d630.pdf pdf_icon

E630

630/F630/I630/ E630/B630/D630 9A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 200V self-aligned planar technology which reduce the conduction DSS loss, improve switching performance and enhance the R = 0.23 DS(on) (TYP) G avalanche energy. Which accords with the RoHS standard. 1 I = 9A 3 S D 2 Feature

 0.1. Size:220K  kia
 kne6303a.pdf pdf_icon

E630

12A, 30V N-CHANNELMOSFET KNX6303A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications Vds=30V R =9.0m (typ.),VGS@10V,Ids@12A DS(ON) R =11.5m (typ.),VGS@4.5V,Ids@6A DS(ON) 3. Pinconfiguration Pin Functio

 0.2. Size:640K  cn sino-ic
 se630k.pdf pdf_icon

E630

SE630K N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features This type used advanced trench technology For a single MOSFET and design to provide excellent RDS(ON) with V = 200V DS low gate charge. It can be used in a wide R =260m @ V =10V DS(ON) GS variety of application Pin configurations See Diagram below TO-252 Absolute Maximum Ratings Parameter

Другие IGBT... DHS025N88, DHS025N88B, DHS025N88D, E110N04, E13N50, E20N50, E25N10, E50N06, 2N7002, E640, E740, E80N06, ED120N10ZR, EN6005, F10N50, F10N60, F10N70