E640 Todos los transistores

 

E640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

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Principales características: E640

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E640

640/F640/I640/E640/B640/D640 18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 200V self-aligned planar technology which reduce the DSS conduction loss, improve switching performance and R = 0.12 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 18A 3 S D 2 Featur

Otros transistores... DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , E20N50 , E25N10 , E50N06 , E630 , IRF9540N , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 , F10N50 , F10N60 , F10N70 , F10N80 .

History: SSF2122E | AP3P06MI | CEM2187

 

 
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