E640 Todos los transistores

 

E640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: E640
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

E640 Datasheet (PDF)

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 640 f640 i640 e640 b640 d640.pdf pdf_icon

E640

640/F640/I640/E640/B640/D64018A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 200Vself-aligned planar technology which reduce the DSSconduction loss, improve switching performance andR = 0.12DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 18A3 S D2 Featur

Otros transistores... DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , E20N50 , E25N10 , E50N06 , E630 , IRF1010E , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 , F10N50 , F10N60 , F10N70 , F10N80 .

 

 
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