E640 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: E640 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO263

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E640 datasheet

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640 f640 i640 e640 b640 d640.pdf pdf_icon

640/F640/I640/E640/B640/D640 18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 200V self-aligned planar technology which reduce the DSS conduction loss, improve switching performance and R = 0.12 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 18A 3 S D 2 Featur

Otros transistores... DHS025N88B, DHS025N88D, E110N04, E13N50, E20N50, E25N10, E50N06, E630, IRF9540N, E740, E80N06, ED120N10ZR, EN6005, F10N50, F10N60, F10N70, F10N80

E640 Datasheet. Equivalente