E640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: E640  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для E640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E640 даташит

 ..1. Size:1407K  cn wxdh
 640 f640 i640 e640 b640 d640.pdf pdf_icon

E640

640/F640/I640/E640/B640/D640 18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the 2 D V = 200V self-aligned planar technology which reduce the DSS conduction loss, improve switching performance and R = 0.12 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 18A 3 S D 2 Featur

Другие IGBT... DHS025N88B, DHS025N88D, E110N04, E13N50, E20N50, E25N10, E50N06, E630, IRF9540N, E740, E80N06, ED120N10ZR, EN6005, F10N50, F10N60, F10N70, F10N80