Справочник MOSFET. E640

 

E640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: E640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 183 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для E640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

E640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1407K  cn wxdh
 640 f640 i640 e640 b640 d640.pdf pdf_icon

E640

640/F640/I640/E640/B640/D64018A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 200Vself-aligned planar technology which reduce the DSSconduction loss, improve switching performance andR = 0.12DS(on) (TYP)Genhance the avalanche energy. Which accords with the1RoHS standard.I = 18A3 S D2 Featur

Другие MOSFET... DHS025N88B , DHS025N88D , E110N04 , E13N50 , E20N50 , E25N10 , E50N06 , E630 , IRF1010E , E740 , E80N06 , ED120N10ZR , EN6005 , F10N50 , F10N60 , F10N70 , F10N80 .

History: F13N50

 

 
Back to Top

 


 
.