DJD380N65T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DJD380N65T  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DJD380N65T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DJD380N65T datasheet

 ..1. Size:719K  cn wxdh
djd380n65t.pdf pdf_icon

DJD380N65T

DJD380N65T 10.6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced VDMOSFETs, is using advanced super junction technology and design to 2 D V = 650V DSS provide excellent Rds(on) with low gate charge. Which R = 0.34 DS(on) (TYP) accords with the RoHS standard. G 1 I = 10.6A 3 S D 2 Features Fast switching Low on resistance

Otros transistores... F10N50, F10N60, F10N70, F10N80, F110N04, DHZ24B31, DJC070N60F, DJC070N65M2, 5N65, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, DSD040N08N3A, DSD065N04LA, DSD065N10L3A