DJD380N65T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DJD380N65T 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92.3 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Encapsulados: TO252
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DJD380N65T datasheet
djd380n65t.pdf
DJD380N65T 10.6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced VDMOSFETs, is using advanced super junction technology and design to 2 D V = 650V DSS provide excellent Rds(on) with low gate charge. Which R = 0.34 DS(on) (TYP) accords with the RoHS standard. G 1 I = 10.6A 3 S D 2 Features Fast switching Low on resistance
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History: F25N10 | DJD420N70T | DSB150N10L3 | PD0903BV
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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