DJD380N65T Todos los transistores

 

DJD380N65T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DJD380N65T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 119 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DJD380N65T Datasheet (PDF)

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DJD380N65T

DJD380N65T 10.6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced VDMOSFETs, is using advanced super junction technology and design to 2 DV = 650V DSSprovide excellent Rds(on) with low gate charge. Which R = 0.34 DS(on) (TYP)accords with the RoHS standard. G1I = 10.6A 3 S D2 Features Fast switching Low on resistance

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History: DJD420N70T

 

 
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