Справочник MOSFET. DJD380N65T

 

DJD380N65T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DJD380N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DJD380N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DJD380N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  cn wxdh
 djd380n65t.pdf pdf_icon

DJD380N65T

DJD380N65T 10.6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced VDMOSFETs, is using advanced super junction technology and design to 2 DV = 650V DSSprovide excellent Rds(on) with low gate charge. Which R = 0.34 DS(on) (TYP)accords with the RoHS standard. G1I = 10.6A 3 S D2 Features Fast switching Low on resistance

Другие MOSFET... F10N50 , F10N60 , F10N70 , F10N80 , F110N04 , DHZ24B31 , DJC070N60F , DJC070N65M2 , 4435 , DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA , DSD065N10L3A .

 

 
Back to Top

 


 
.