DJD380N65T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DJD380N65T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 119 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DJD380N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DJD380N65T даташит

 ..1. Size:719K  cn wxdh
 djd380n65t.pdf pdf_icon

DJD380N65T

DJD380N65T 10.6A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced VDMOSFETs, is using advanced super junction technology and design to 2 D V = 650V DSS provide excellent Rds(on) with low gate charge. Which R = 0.34 DS(on) (TYP) accords with the RoHS standard. G 1 I = 10.6A 3 S D 2 Features Fast switching Low on resistance

Другие IGBT... F10N50, F10N60, F10N70, F10N80, F110N04, DHZ24B31, DJC070N60F, DJC070N65M2, 5N65, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, DSD040N08N3A, DSD065N04LA, DSD065N10L3A