DSB150N10L3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSB150N10L3 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
Encapsulados: TO251
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DSB150N10L3 datasheet
dsd150n10l3 dsb150n10l3.pdf
DSD150N10L3&DSB150N10L3 100V/12m /60A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12m ID 100% single pulse avalanche energy test 60A Ciss@10V 100% VDS test 2320pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 7nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery M
Otros transistores... F110N04, DHZ24B31, DJC070N60F, DJC070N65M2, DJD380N65T, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, IRF530, DSB190N10L3, DSD040N08N3A, DSD065N04LA, DSD065N10L3A, DSD090N10L3A, DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3
History: F25N10 | PD0903BV
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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