Справочник MOSFET. DSB150N10L3

 

DSB150N10L3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSB150N10L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для DSB150N10L3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSB150N10L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1456K  cn wxdh
 dsd150n10l3 dsb150n10l3.pdf pdf_icon

DSB150N10L3

DSD150N10L3&DSB150N10L3 100V/12m/60A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12mID 100% single pulse avalanche energy test 60ACiss@10V 100% VDS test 2320pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 7nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery M

Другие MOSFET... F110N04 , DHZ24B31 , DJC070N60F , DJC070N65M2 , DJD380N65T , DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , AO4407 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA , DSD065N10L3A , DSD090N10L3A , DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , DSD270N12N3 .

History: NCE50N2K2K

 

 
Back to Top

 


 
.