DSD040N08N3A Todos los transistores

 

DSD040N08N3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSD040N08N3A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 923 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DSD040N08N3A Datasheet (PDF)

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DSD040N08N3A

DSD040N08N3A180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 3.4mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 180AD2 Features AEC-Q101 qualified Fast switching Low

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