DSD040N08N3A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSD040N08N3A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 923 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO252

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DSD040N08N3A datasheet

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DSD040N08N3A

DSD040N08N3A 180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 3.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 180A D 2 Features AEC-Q101 qualified Fast switching Low

Otros transistores... DJC070N60F, DJC070N65M2, DJD380N65T, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, NCEP15T14, DSD065N04LA, DSD065N10L3A, DSD090N10L3A, DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D