DSD040N08N3A Todos los transistores

 

DSD040N08N3A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSD040N08N3A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 186 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 923 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSD040N08N3A

 

Principales características: DSD040N08N3A

 ..1. Size:932K  cn wxdh
dsd040n08n3a.pdf pdf_icon

DSD040N08N3A

DSD040N08N3A 180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 3.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 180A D 2 Features AEC-Q101 qualified Fast switching Low

Otros transistores... DJC070N60F , DJC070N65M2 , DJD380N65T , DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , NCEP15T14 , DSD065N04LA , DSD065N10L3A , DSD090N10L3A , DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , DSD270N12N3 , DHS110N15 , DHS110N15D .

History: AP3P06MI

 

 
Back to Top

 


History: AP3P06MI

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458

 


 
.