Справочник MOSFET. DSD040N08N3A

 

DSD040N08N3A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSD040N08N3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 85 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 923 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DSD040N08N3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD040N08N3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:932K  cn wxdh
 dsd040n08n3a.pdf pdf_icon

DSD040N08N3A

DSD040N08N3A180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 3.4mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 180AD2 Features AEC-Q101 qualified Fast switching Low

Другие MOSFET... DJC070N60F , DJC070N65M2 , DJD380N65T , DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , IRFP450 , DSD065N04LA , DSD065N10L3A , DSD090N10L3A , DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , DSD270N12N3 , DHS110N15 , DHS110N15D .

 

 
Back to Top

 


 
.