DSD040N08N3A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSD040N08N3A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 186 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 923 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSD040N08N3A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD040N08N3A даташит

 ..1. Size:932K  cn wxdh
 dsd040n08n3a.pdf pdf_icon

DSD040N08N3A

DSD040N08N3A 180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 3.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 180A D 2 Features AEC-Q101 qualified Fast switching Low

Другие IGBT... DJC070N60F, DJC070N65M2, DJD380N65T, DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, NCEP15T14, DSD065N04LA, DSD065N10L3A, DSD090N10L3A, DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D