DSD090N10L3A Todos los transistores

 

DSD090N10L3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSD090N10L3A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 454 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DSD090N10L3A Datasheet (PDF)

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DSD090N10L3A

DSD090N10L3A100V/8m/68A N-MOSFETFeatures Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 8mID Low reverse transfer capacitances 68ACiss@10V 100% single pulse avalanche energy test 1700pF 100% VDS test Qgd 7nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliantApplications Power switching applications DC-DC converters

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