DSD090N10L3A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSD090N10L3A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 454 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSD090N10L3A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD090N10L3A даташит

 ..1. Size:644K  cn wxdh
 dsd090n10l3a.pdf pdf_icon

DSD090N10L3A

DSD090N10L3A 100V/8m /68A N-MOSFET Features Key Parameters VDS AEC-Q101 qualified 100V RDS(on)typ. Low on resistance 8m ID Low reverse transfer capacitances 68A Ciss@10V 100% single pulse avalanche energy test 1700pF 100% VDS test Qgd 7nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Applications Power switching applications DC-DC converters

Другие IGBT... DJD420N70T, DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, DSD040N08N3A, DSD065N04LA, DSD065N10L3A, IRFP450, DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, DHS110N15F, DHS130N06B