Справочник MOSFET. DSD090N10L3A

 

DSD090N10L3A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSD090N10L3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 454 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DSD090N10L3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD090N10L3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:644K  cn wxdh
 dsd090n10l3a.pdf pdf_icon

DSD090N10L3A

DSD090N10L3A100V/8m/68A N-MOSFETFeatures Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 100VRDS(on)typ. Low on resistance 8mID Low reverse transfer capacitances 68ACiss@10V 100% single pulse avalanche energy test 1700pF 100% VDS test Qgd 7nC Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliantApplications Power switching applications DC-DC converters

Другие MOSFET... DJD420N70T , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA , DSD065N10L3A , IRF1407 , DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , DSD270N12N3 , DHS110N15 , DHS110N15D , DHS110N15E , DHS110N15F , DHS130N06B .

 

 
Back to Top

 


 
.