DSD150N10L3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSD150N10L3 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0145 Ohm
Encapsulados: TO252
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DSD150N10L3 datasheet
dsd150n10l3 dsb150n10l3.pdf
DSD150N10L3&DSB150N10L3 100V/12m /60A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12m ID 100% single pulse avalanche energy test 60A Ciss@10V 100% VDS test 2320pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 7nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery M
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History: IXTV86N25T | WST6045 | DSD065N10L3A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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