DSD150N10L3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSD150N10L3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSD150N10L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD150N10L3 даташит

 ..1. Size:1456K  cn wxdh
 dsd150n10l3 dsb150n10l3.pdf pdf_icon

DSD150N10L3

DSD150N10L3&DSB150N10L3 100V/12m /60A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 12m ID 100% single pulse avalanche energy test 60A Ciss@10V 100% VDS test 2320pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 7nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery M

Другие IGBT... DJF380N65T, DJF420N70T, DSB150N10L3, DSB190N10L3, DSD040N08N3A, DSD065N04LA, DSD065N10L3A, DSD090N10L3A, TK10A60D, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, DHS110N15F, DHS130N06B, DHS130N06D