DSD270N12N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSD270N12N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DSD270N12N3
Principales características: DSD270N12N3
dsd270n12n3.pdf
DSD270N12N3 35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =120V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 23m G DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. I = 35A 3 S D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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