DSD270N12N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSD270N12N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de DSD270N12N3 MOSFET
DSD270N12N3 Datasheet (PDF)
dsd270n12n3.pdf
DSD270N12N335A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =120VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 23mG DS(on) (TYP)1the RoHS standard.I = 35A3 S D2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge
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History: JMSH0601ATLQ | JMSH0601ATL
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