DSD270N12N3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSD270N12N3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 81 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 138 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: TO252

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DSD270N12N3 datasheet

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DSD270N12N3

DSD270N12N3 35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =120V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 23m G DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. I = 35A 3 S D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

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