DSD270N12N3 - аналоги и даташиты транзистора

 

DSD270N12N3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DSD270N12N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для DSD270N12N3

 

DSD270N12N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  cn wxdh
 dsd270n12n3.pdf pdf_icon

DSD270N12N3

DSD270N12N3 35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =120V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 23m G DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. I = 35A 3 S D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA , DSD065N10L3A , DSD090N10L3A , DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , BS170 , DHS110N15 , DHS110N15D , DHS110N15E , DHS110N15F , DHS130N06B , DHS130N06D , DHS160N100B , DHS160N100D .

 

 
Back to Top

 


 
.