DSD270N12N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSD270N12N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSD270N12N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD270N12N3 даташит

 ..1. Size:899K  cn wxdh
 dsd270n12n3.pdf pdf_icon

DSD270N12N3

DSD270N12N3 35A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =120V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 23m G DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. I = 35A 3 S D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

Другие IGBT... DSB150N10L3, DSB190N10L3, DSD040N08N3A, DSD065N04LA, DSD065N10L3A, DSD090N10L3A, DSD150N10L3, DSD190N10L3, BS170, DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, DHS110N15F, DHS130N06B, DHS130N06D, DHS160N100B, DHS160N100D