Справочник MOSFET. DSD270N12N3

 

DSD270N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSD270N12N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DSD270N12N3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSD270N12N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  cn wxdh
 dsd270n12n3.pdf pdf_icon

DSD270N12N3

DSD270N12N335A 120V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =120VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 23mG DS(on) (TYP)1the RoHS standard.I = 35A3 S D2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA , DSD065N10L3A , DSD090N10L3A , DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , 18N50 , DHS110N15 , DHS110N15D , DHS110N15E , DHS110N15F , DHS130N06B , DHS130N06D , DHS160N100B , DHS160N100D .

 

 
Back to Top

 


 
.