DHS130N06B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DHS130N06B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 33.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 5.84 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de DHS130N06B MOSFET
DHS130N06B Datasheet (PDF)
dhs130n06b dhs130n06d.pdf

DHS130N06B&DHS130N06D120A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 70VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.9mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Features Low on resistance Low gate charg
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Liste
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