DHS130N06B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHS130N06B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.84 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 637 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHS130N06B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS130N06B даташит

 ..1. Size:929K  cn wxdh
 dhs130n06b dhs130n06d.pdf pdf_icon

DHS130N06B

DHS130N06B&DHS130N06D 120A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.9m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Features Low on resistance Low gate charg

Другие IGBT... DSD090N10L3A, DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, DHS110N15F, 10N65, DHS130N06D, DHS160N100B, DHS160N100D, DHS180N10L, DHS180N10LB, DHS180N10LD, DHS180N10LE, DHS180N10LF