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DHS130N06D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS130N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.84 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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Principales características: DHS130N06D

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DHS130N06D

DHS130N06B&DHS130N06D 120A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.9m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Features Low on resistance Low gate charg

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History: JMPC16N65BJ

 

 
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