DHS130N06D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHS130N06D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 70 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.84 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 637 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO252

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DHS130N06D datasheet

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DHS130N06D

DHS130N06B&DHS130N06D 120A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.9m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Features Low on resistance Low gate charg

Otros transistores... DSD150N10L3, DSD190N10L3, DSD270N12N3, DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, DHS110N15F, DHS130N06B, 5N60, DHS160N100B, DHS160N100D, DHS180N10L, DHS180N10LB, DHS180N10LD, DHS180N10LE, DHS180N10LF, DHS180N10LI