DHS130N06D - аналоги и даташиты транзистора

 

DHS130N06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHS130N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 637 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для DHS130N06D

 

DHS130N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:929K  cn wxdh
 dhs130n06b dhs130n06d.pdf pdf_icon

DHS130N06D

DHS130N06B&DHS130N06D 120A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 70V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.9m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Features Low on resistance Low gate charg

Другие MOSFET... DSD150N10L3 , DSD190N10L3 , DSD270N12N3 , DHS110N15 , DHS110N15D , DHS110N15E , DHS110N15F , DHS130N06B , 5N60 , DHS160N100B , DHS160N100D , DHS180N10L , DHS180N10LB , DHS180N10LD , DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI .

History: JMPC16N65BJ

 

 
Back to Top

 


 
.