Справочник MOSFET. DHS130N06D

 

DHS130N06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS130N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 70 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 33.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 637 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHS130N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS130N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:929K  cn wxdh
 dhs130n06b dhs130n06d.pdf pdf_icon

DHS130N06D

DHS130N06B&DHS130N06D120A 70V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 70VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.9mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Features Low on resistance Low gate charg

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.