DHS180N10L Todos los transistores

 

DHS180N10L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS180N10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DHS180N10L

 

Principales características: DHS180N10L

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 dhs180n10l dhs180n10lf dhs180n10li dhs180n10le dhs180n10lb dhs180n10ld.pdf pdf_icon

DHS180N10L

DHS180N10L/DHS180N10LF/DHS180N10LI/ DHS180N10LE/DHS180N10LB/DHS180N10LD 47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced SGT trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 18m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 47A D 2 Features

 0.1. Size:1258K  cn wxdh
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DHS180N10L

DHS180N10LD 100V/15m /50A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 15m ID 100% single pulse avalanche energy test 50A Ciss@10V 100% VDS test 1076pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 2nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Management Sy

Otros transistores... DHS110N15 , DHS110N15D , DHS110N15E , DHS110N15F , DHS130N06B , DHS130N06D , DHS160N100B , DHS160N100D , AO3407 , DHS180N10LB , DHS180N10LD , DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA .

 

 
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