DHS180N10L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHS180N10L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 358 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: TO220

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DHS180N10L datasheet

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DHS180N10L

DHS180N10L/DHS180N10LF/DHS180N10LI/ DHS180N10LE/DHS180N10LB/DHS180N10LD 47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced SGT trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 18m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 47A D 2 Features

 0.1. Size:1258K  cn wxdh
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DHS180N10L

DHS180N10LD 100V/15m /50A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 15m ID 100% single pulse avalanche energy test 50A Ciss@10V 100% VDS test 1076pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 2nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Management Sy

Otros transistores... DHS110N15, DHS110N15D, DHS110N15E, DHS110N15F, DHS130N06B, DHS130N06D, DHS160N100B, DHS160N100D, AO3407, DHS180N10LB, DHS180N10LD, DHS180N10LE, DHS180N10LF, DHS180N10LI, DHS250N10D, DHS400N10D, DTE043N04NA