DHS180N10L - аналоги и даташиты транзистора

 

DHS180N10L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHS180N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DHS180N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS180N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1243K  cn wxdh
 dhs180n10l dhs180n10lf dhs180n10li dhs180n10le dhs180n10lb dhs180n10ld.pdf pdf_icon

DHS180N10L

DHS180N10L/DHS180N10LF/DHS180N10LI/DHS180N10LE/DHS180N10LB/DHS180N10LD47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced SGT trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 18mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 47AD2 Features

 0.1. Size:1258K  cn wxdh
 dhs180n10ld.pdf pdf_icon

DHS180N10L

DHS180N10LD 100V/15m/50A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 15mID 100% single pulse avalanche energy test 50ACiss@10V 100% VDS test 1076pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 2nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery Management Sy

Другие MOSFET... DHS110N15 , DHS110N15D , DHS110N15E , DHS110N15F , DHS130N06B , DHS130N06D , DHS160N100B , DHS160N100D , 4N60 , DHS180N10LB , DHS180N10LD , DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA .

History: IPI120N06S4-03 | DHS180N10LB | FCPF9N60NT

 

 
Back to Top

 


 
.