DHS250N10D Todos los transistores

 

DHS250N10D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS250N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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Principales características: DHS250N10D

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DHS250N10D

DHS250N10D 30A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =100V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 25m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 30A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

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