DHS250N10D Todos los transistores

 

DHS250N10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DHS250N10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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DHS250N10D Datasheet (PDF)

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 dhs250n10d.pdf pdf_icon

DHS250N10D

DHS250N10D30A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =100VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 25mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 30AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

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