DHS250N10D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DHS250N10D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 58 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: TO252

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DHS250N10D datasheet

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DHS250N10D

DHS250N10D 30A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =100V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 25m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 30A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

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