Справочник MOSFET. DHS250N10D

 

DHS250N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS250N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHS250N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS250N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:804K  cn wxdh
 dhs250n10d.pdf pdf_icon

DHS250N10D

DHS250N10D30A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =100VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 25mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 30AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.