Справочник MOSFET. DHS250N10D

 

DHS250N10D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS250N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DHS250N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS250N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:804K  cn wxdh
 dhs250n10d.pdf pdf_icon

DHS250N10D

DHS250N10D30A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =100VDSSadvanced Splite gate technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords with GR = 25mDS(on) (TYP)1the RoHS standard.3 SI = 30AD2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... DHS160N100B , DHS160N100D , DHS180N10L , DHS180N10LB , DHS180N10LD , DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , AON6380 , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , DTG025N04NA , DTG045N04NA , DTG050P06LA , DTJ018N04N .

 

 
Back to Top

 


 
.