DHS250N10D - аналоги и даташиты транзистора

 

DHS250N10D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHS250N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для DHS250N10D

 

DHS250N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:804K  cn wxdh
 dhs250n10d.pdf pdf_icon

DHS250N10D

DHS250N10D 30A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =100V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 25m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 30A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

Другие MOSFET... DHS160N100B , DHS160N100D , DHS180N10L , DHS180N10LB , DHS180N10LD , DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , IRFZ24N , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , DTG025N04NA , DTG045N04NA , DTG050P06LA , DTJ018N04N .

 

 
Back to Top

 


 
.