DHS250N10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHS250N10D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHS250N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS250N10D даташит

 ..1. Size:804K  cn wxdh
 dhs250n10d.pdf pdf_icon

DHS250N10D

DHS250N10D 30A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V =100V DSS advanced Splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 25m DS(on) (TYP) 1 the RoHS standard. 3 S I = 30A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low gate charge

Другие IGBT... DHS160N100B, DHS160N100D, DHS180N10L, DHS180N10LB, DHS180N10LD, DHS180N10LE, DHS180N10LF, DHS180N10LI, IRFZ24N, DHS400N10D, DTE043N04NA, DTG018N04N, DTG023N03L, DTG025N04NA, DTG045N04NA, DTG050P06LA, DTJ018N04N