DTG023N03L Todos los transistores

 

DTG023N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTG023N03L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 578 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de DTG023N03L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

DTG023N03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1438K  cn wxdh
 dtg023n03l.pdf pdf_icon

DTG023N03L

DTG023N03L 30V/2.2m/150A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 30VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 2.2mID 100% single pulse avalanche energy test 150A 100% VDS test VTH 1.6VCiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 4394pFQgd 18.3nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery

 9.1. Size:903K  cn wxdh
 dte025n04na dtg025n04na.pdf pdf_icon

DTG023N03L

DTE025N04NA&DTG025N04NA220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak

Otros transistores... DHS180N10LD , DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , IRF520 , DTG025N04NA , DTG045N04NA , DTG050P06LA , DTJ018N04N , F12N60 , F13N50 , F14N65 , F16N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.