DTG023N03L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTG023N03L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 578 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DTG023N03L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTG023N03L даташит

 ..1. Size:1438K  cn wxdh
 dtg023n03l.pdf pdf_icon

DTG023N03L

DTG023N03L 30V/2.2m /150A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 30V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 2.2m ID 100% single pulse avalanche energy test 150A 100% VDS test VTH 1.6V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 4394pF Qgd 18.3nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery

 9.1. Size:903K  cn wxdh
 dte025n04na dtg025n04na.pdf pdf_icon

DTG023N03L

DTE025N04NA&DTG025N04NA 220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak

Другие IGBT... DHS180N10LD, DHS180N10LE, DHS180N10LF, DHS180N10LI, DHS250N10D, DHS400N10D, DTE043N04NA, DTG018N04N, 75N75, DTG025N04NA, DTG045N04NA, DTG050P06LA, DTJ018N04N, F12N60, F13N50, F14N65, F16N65