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DTG025N04NA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTG025N04NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 127 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 768 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DTG025N04NA

 

Principales características: DTG025N04NA

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DTG025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA 220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak

 9.1. Size:1438K  cn wxdh
 dtg023n03l.pdf pdf_icon

DTG025N04NA

DTG023N03L 30V/2.2m /150A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 30V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 2.2m ID 100% single pulse avalanche energy test 150A 100% VDS test VTH 1.6V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 4394pF Qgd 18.3nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery

Otros transistores... DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , AO3400A , DTG045N04NA , DTG050P06LA , DTJ018N04N , F12N60 , F13N50 , F14N65 , F16N65 , F18N50 .

History: DHS400N10D | IRFBE20 | SQS401ENW | JMCL0410AGD

 

 
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