DTG025N04NA Todos los transistores

 

DTG025N04NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTG025N04NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 127 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 768 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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DTG025N04NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn wxdh
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DTG025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak

 9.1. Size:1438K  cn wxdh
 dtg023n03l.pdf pdf_icon

DTG025N04NA

DTG023N03L 30V/2.2m/150A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 30VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 2.2mID 100% single pulse avalanche energy test 150A 100% VDS test VTH 1.6VCiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 4394pFQgd 18.3nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

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