DTG025N04NA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTG025N04NA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 220 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 127 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 768 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: TO220

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DTG025N04NA datasheet

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DTG025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA 220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak

 9.1. Size:1438K  cn wxdh
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DTG025N04NA

DTG023N03L 30V/2.2m /150A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 30V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 2.2m ID 100% single pulse avalanche energy test 150A 100% VDS test VTH 1.6V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 4394pF Qgd 18.3nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery

Otros transistores... DHS180N10LE, DHS180N10LF, DHS180N10LI, DHS250N10D, DHS400N10D, DTE043N04NA, DTG018N04N, DTG023N03L, AO3400A, DTG045N04NA, DTG050P06LA, DTJ018N04N, F12N60, F13N50, F14N65, F16N65, F18N50