Справочник MOSFET. DTG025N04NA

 

DTG025N04NA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DTG025N04NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 127 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 768 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DTG025N04NA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTG025N04NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dte025n04na dtg025n04na.pdf pdf_icon

DTG025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 40VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 2.1mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 220AD2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak

 9.1. Size:1438K  cn wxdh
 dtg023n03l.pdf pdf_icon

DTG025N04NA

DTG023N03L 30V/2.2m/150A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 30VRDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 2.2mID 100% single pulse avalanche energy test 150A 100% VDS test VTH 1.6VCiss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 4394pFQgd 18.3nCApplications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery

Другие MOSFET... DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , RU6888R , DTG045N04NA , DTG050P06LA , DTJ018N04N , F12N60 , F13N50 , F14N65 , F16N65 , F18N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.