DTG025N04NA - аналоги и даташиты транзистора

 

DTG025N04NA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTG025N04NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 127 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 768 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для DTG025N04NA

 

DTG025N04NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dte025n04na dtg025n04na.pdf pdf_icon

DTG025N04NA

DTE025N04NA&DTG025N04NA 220A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 40V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 2.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 220A D 2 Features AEC Q101 qualified MSL1 up to 260 C peak

 9.1. Size:1438K  cn wxdh
 dtg023n03l.pdf pdf_icon

DTG025N04NA

DTG023N03L 30V/2.2m /150A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 30V RDS(on)typ. Low reverse transfer capacitances 2.2m ID 100% single pulse avalanche energy test 150A 100% VDS test VTH 1.6V Ciss@10V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 4394pF Qgd 18.3nC Applications Motor Control and Drive Charge/Discharge for Battery

Другие MOSFET... DHS180N10LE , DHS180N10LF , DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , AO3400A , DTG045N04NA , DTG050P06LA , DTJ018N04N , F12N60 , F13N50 , F14N65 , F16N65 , F18N50 .

History: IRFBE20 | DTG018N04N | SQS401ENW | JMCL0410AGD

 

 
Back to Top

 


 
.