DTG050P06LA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTG050P06LA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 736 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm

Encapsulados: TO220

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DTG050P06LA datasheet

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DTG050P06LA

DTG050P06LA -140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhancement mode power mosfets used V = -60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.8m DS(on) (TYP) standard. I = -140A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer capaci

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