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DTG050P06LA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTG050P06LA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 736 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET DTG050P06LA

 

Principales características: DTG050P06LA

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DTG050P06LA

DTG050P06LA -140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhancement mode power mosfets used V = -60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.8m DS(on) (TYP) standard. I = -140A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer capaci

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History: JMSH1566AKQ | IRFE130 | PSMN2R0-60PSR

 

 
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