DTG050P06LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTG050P06LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 736 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de DTG050P06LA MOSFET
DTG050P06LA Datasheet (PDF)
dtg050p06la.pdf
DTG050P06LA-140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.8mDS(on) (TYP)standard.I = -140AD2 Features Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer capaci
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History: IRFD120
History: IRFD120
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