DTG050P06LA Todos los transistores

 

DTG050P06LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DTG050P06LA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 247 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 736 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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DTG050P06LA Datasheet (PDF)

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DTG050P06LA

DTG050P06LA-140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.8mDS(on) (TYP)standard.I = -140AD2 Features Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer capaci

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