Справочник MOSFET. DTG050P06LA

 

DTG050P06LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DTG050P06LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 247 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 736 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для DTG050P06LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTG050P06LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  cn wxdh
 dtg050p06la.pdf pdf_icon

DTG050P06LA

DTG050P06LA-140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese P-channel enhancement mode power mosfets usedV = -60VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.8mDS(on) (TYP)standard.I = -140AD2 Features Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer capaci

Другие MOSFET... DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , DTG025N04NA , DTG045N04NA , IRFZ48N , DTJ018N04N , F12N60 , F13N50 , F14N65 , F16N65 , F18N50 , F18N65 , F20N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.