DTG050P06LA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTG050P06LA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 736 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DTG050P06LA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTG050P06LA даташит

 ..1. Size:854K  cn wxdh
 dtg050p06la.pdf pdf_icon

DTG050P06LA

DTG050P06LA -140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhancement mode power mosfets used V = -60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.8m DS(on) (TYP) standard. I = -140A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer capaci

Другие IGBT... DHS180N10LI, DHS250N10D, DHS400N10D, DTE043N04NA, DTG018N04N, DTG023N03L, DTG025N04NA, DTG045N04NA, STP65NF06, DTJ018N04N, F12N60, F13N50, F14N65, F16N65, F18N50, F18N65, F20N50