DTG050P06LA - аналоги и даташиты транзистора

 

DTG050P06LA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DTG050P06LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 736 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для DTG050P06LA

 

DTG050P06LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  cn wxdh
 dtg050p06la.pdf pdf_icon

DTG050P06LA

DTG050P06LA -140A -60V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These P-channel enhancement mode power mosfets used V = -60V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.8m DS(on) (TYP) standard. I = -140A D 2 Features Low on resistance Low gate charge Low reverse transfer capaci

Другие MOSFET... DHS180N10LI , DHS250N10D , DHS400N10D , DTE043N04NA , DTG018N04N , DTG023N03L , DTG025N04NA , DTG045N04NA , STP65NF06 , DTJ018N04N , F12N60 , F13N50 , F14N65 , F16N65 , F18N50 , F18N65 , F20N50 .

History: JMH65R030PSFD | IRFE130 | JCS4N60B | JMSH1566AKQ | PSMN2R0-60PSR

 

 
Back to Top

 


 
.