DTJ018N04N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DTJ018N04N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 273 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1204 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET DTJ018N04N
Principales características: DTJ018N04N
dtg018n04n dtj018n04n.pdf
DTG018N04N/DTJ018N04N 180A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent V = 40V DSS 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 1.5m DS(on) (TO-220)TYP standard. G R = 1.5m DS(on) (TO-262)TYP 1 I = 300A D Silicon limited 3 S 2 Featur
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History: ATM7N65ATE
History: ATM7N65ATE
Liste
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