Справочник MOSFET. DTJ018N04N

 

DTJ018N04N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DTJ018N04N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 193 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1204 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DTJ018N04N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTJ018N04N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  cn wxdh
 dtg018n04n dtj018n04n.pdf pdf_icon

DTJ018N04N

DTG018N04N/DTJ018N04N180A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets usedadvanced trench technology design, provided excellent V = 40VDSS2 DRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 1.5mDS(on) (TO-220)TYPstandard.GR = 1.5mDS(on) (TO-262)TYP1I = 300ADSilicon limited3 S2 Featur

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.