DTJ018N04N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTJ018N04N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1204 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DTJ018N04N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTJ018N04N даташит

 ..1. Size:1013K  cn wxdh
 dtg018n04n dtj018n04n.pdf pdf_icon

DTJ018N04N

DTG018N04N/DTJ018N04N 180A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent V = 40V DSS 2 D Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 1.5m DS(on) (TO-220)TYP standard. G R = 1.5m DS(on) (TO-262)TYP 1 I = 300A D Silicon limited 3 S 2 Featur

Другие IGBT... DHS250N10D, DHS400N10D, DTE043N04NA, DTG018N04N, DTG023N03L, DTG025N04NA, DTG045N04NA, DTG050P06LA, IRF1405, F12N60, F13N50, F14N65, F16N65, F18N50, F18N65, F20N50, F20N60