FQU2N90TUAM002 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FQU2N90TUAM002 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQU2N90TUAM002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.2 Ohm

Encapsulados: TO251 IPAK

Búsqueda de reemplazo de FQU2N90TUAM002 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

FQU2N90TUAM002 datasheet

5.1. Size:841K fairchild semi
fqd2n90tf fqd2n90tm fqd2n90 fqu2n90 fqu2n90tu.pdf pdf_icon

January 2009 QFET FQD2N90 / FQU2N90 900V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.7A, 900V, RDS(on) = 7.2 @ VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 5.5 pF) This advanced technology has been especi

7.1. Size:1291K fairchild semi
fqu2n90.pdf pdf_icon

January 2014 FQD2N90 / FQU2N90 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 1.7 A, 7.2 Description Features This N-Channel enhancement mode power MOSFET is 1.7 A, 900 V, RDS(on) = 7.2 (Max.) @ VGS = 10 V, produced using Fairchild Semiconductor s proprietary ID = 0.85 A planar stripe and DMOS technology. This advanced Low Gate Charge (Typ. 12 nC) MOSFET technology has been especiall

7.2. Size:2037K onsemi
fqd2n90 fqu2n90.pdf pdf_icon

FQD2N90 / FQU2N90 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 1.7 A, 7.2 Features 1.7 A, 900 V, RDS(on) = 7.2 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.85 A Description Low Gate Charge (Typ. 12 nC) This N-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Crss (Typ. 5.5 pF) produced using ON Semiconductor s proprietary 100% Avalanche Tested planar stripe and DMOS technology. This advanced

Otros transistores... FDB86102LZ, FQU17P06, FQU1N60C, FDP085N10A, FQU20N06L, FQU2N100, FQU2N60C, FDMC8030, 10N60, FQU3N50C, FQU4N50TUWS, FQU5N40, FDMC7582, FQU5N60C, FDMQ8403, FQU5P20, FQU8P10

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

FQU2N90TUAM002 Todos los transistores