DSP018N04LA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSP018N04LA  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 95.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1611 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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DSP018N04LA datasheet

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DSP018N04LA

DSP018N04LA 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 40V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 1.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. G 1 I Silicon limit = 170A D 3 S 2 Features I Package limit 100A = D

Otros transistores... DHS045N85, DHS045N85B, DHS045N85D, DHS045N85E, DHS045N85F, DHS045N85I, DHS045N88, DHS045N88B, 50N06, DSP032N08NA, DSP037N08N3, DSP038N08NA, DSP051N10N, DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A