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DSP018N04LA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSP018N04LA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1611 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

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Principales características: DSP018N04LA

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DSP018N04LA

DSP018N04LA 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 40V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 1.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. G 1 I Silicon limit = 170A D 3 S 2 Features I Package limit 100A = D

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History: PSMN0R9-30ULD

 

 
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