DSP018N04LA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSP018N04LA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 95.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1611 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
Búsqueda de reemplazo de DSP018N04LA MOSFET
DSP018N04LA Datasheet (PDF)
dsp018n04la.pdf

DSP018N04LA100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 40VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided 2 Dexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 1.4mDS(on) (TYP)the RoHS standard.G1I Silicon limit = 170AD3 S2 FeaturesI Package limit 100A=D
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRFP341 | DSP038N08NA | DHS035N88E | DSU011N08N3A | DSU021N10NA | DSG054N10N3 | DSG028N10NA
History: IRFP341 | DSP038N08NA | DHS035N88E | DSU011N08N3A | DSU021N10NA | DSG054N10N3 | DSG028N10NA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHS052N10B | DHS052N10 | DHS051N10P | DHS046N10I | DHS046N10F | DHS046N10E | DHS046N10D | DHS046N10B | DHS046N10 | DHS030N88I | DHS030N88F | DHS030N88E | DHS030N88 | DHS025N88I | DHS025N88F | DHS025N88E
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