Справочник MOSFET. DSP018N04LA

 

DSP018N04LA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSP018N04LA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1611 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DSP018N04LA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSP018N04LA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  cn wxdh
 dsp018n04la.pdf pdf_icon

DSP018N04LA

DSP018N04LA100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 40VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided 2 Dexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 1.4mDS(on) (TYP)the RoHS standard.G1I Silicon limit = 170AD3 S2 FeaturesI Package limit 100A=D

Другие MOSFET... DHS045N85 , DHS045N85B , DHS045N85D , DHS045N85E , DHS045N85F , DHS045N85I , DHS045N88 , DHS045N88B , 50N06 , DSP032N08NA , DSP037N08N3 , DSP038N08NA , DSP051N10N , DSP060N04LA , DSP070N10L3A , DSU007N04NA , DSU011N08N3A .

History: DMG6602SVTQ | AP9430GYT-HF | FDB24AN06LA0 | AOT2918L | AONS62920

 

 
Back to Top

 


 
.