DSP018N04LA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSP018N04LA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 95.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1611 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSP018N04LA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSP018N04LA даташит

 ..1. Size:864K  cn wxdh
 dsp018n04la.pdf pdf_icon

DSP018N04LA

DSP018N04LA 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 40V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 1.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. G 1 I Silicon limit = 170A D 3 S 2 Features I Package limit 100A = D

Другие IGBT... DHS045N85, DHS045N85B, DHS045N85D, DHS045N85E, DHS045N85F, DHS045N85I, DHS045N88, DHS045N88B, 50N06, DSP032N08NA, DSP037N08N3, DSP038N08NA, DSP051N10N, DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A