DSP018N04LA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DSP018N04LA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 95.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1611 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
Аналог (замена) для DSP018N04LA
DSP018N04LA Datasheet (PDF)
dsp018n04la.pdf
DSP018N04LA 100A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used V = 40V DSS advanced splite gate trench technology design, provided 2 D excellent Rdson and low gate charge. Which accords with R = 1.4m DS(on) (TYP) the RoHS standard. G 1 I Silicon limit = 170A D 3 S 2 Features I Package limit 100A = D
Другие MOSFET... DHS045N85 , DHS045N85B , DHS045N85D , DHS045N85E , DHS045N85F , DHS045N85I , DHS045N88 , DHS045N88B , 50N06 , DSP032N08NA , DSP037N08N3 , DSP038N08NA , DSP051N10N , DSP060N04LA , DSP070N10L3A , DSU007N04NA , DSU011N08N3A .
History: PSMN0R9-30ULD
History: PSMN0R9-30ULD
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement


