DSP051N10N Todos los transistores

 

DSP051N10N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSP051N10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 652 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

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DSP051N10N Datasheet (PDF)

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DSP051N10N

DSP051N10N 96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.9m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 96A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low ga

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