DSP051N10N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DSP051N10N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 96 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 652 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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DSP051N10N datasheet

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DSP051N10N

DSP051N10N 96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.9m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 96A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low ga

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