Справочник MOSFET. DSP051N10N

 

DSP051N10N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSP051N10N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DSP051N10N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSP051N10N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:874K  cn wxdh
 dsp051n10n.pdf pdf_icon

DSP051N10N

DSP051N10N96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.9mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 96AD2 Features Fast switching Low on resistance Low ga

Другие MOSFET... DHS045N85F , DHS045N85I , DHS045N88 , DHS045N88B , DSP018N04LA , DSP032N08NA , DSP037N08N3 , DSP038N08NA , IRF1404 , DSP060N04LA , DSP070N10L3A , DSU007N04NA , DSU011N08N3A , DSU021N10NA , DSU023N10N3 , DSU024N10N3A , DSU035N10N3A .

 

 
Back to Top

 


 
.