DSP051N10N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSP051N10N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSP051N10N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSP051N10N даташит

 ..1. Size:874K  cn wxdh
 dsp051n10n.pdf pdf_icon

DSP051N10N

DSP051N10N 96A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 100V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.9m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 96A D 2 Features Fast switching Low on resistance Low ga

Другие IGBT... DHS045N85F, DHS045N85I, DHS045N88, DHS045N88B, DSP018N04LA, DSP032N08NA, DSP037N08N3, DSP038N08NA, IRF1404, DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, DSU011N08N3A, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A