DSU007N04NA Todos los transistores

 

DSU007N04NA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSU007N04NA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5403 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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DSU007N04NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1295K  cn wxdh
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DSU007N04NA

DSU007N04NA40V/0.5m/360A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 40V Low on resistance RDS(on)typ. 0.5m Low reverse transfer capacitances ID (Silicon limit) 475A 100% single pulse avalanche energy test ID (Package limit) 360A 100% VDS test Vth 2.9V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 9669pFQgd 11.5nCApplications

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