Справочник MOSFET. DSU007N04NA

 

DSU007N04NA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSU007N04NA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 118 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5403 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0007 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для DSU007N04NA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSU007N04NA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1295K  cn wxdh
 dsu007n04na.pdf pdf_icon

DSU007N04NA

DSU007N04NA40V/0.5m/360A N-MOSFETFeatures Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 40V Low on resistance RDS(on)typ. 0.5m Low reverse transfer capacitances ID (Silicon limit) 475A 100% single pulse avalanche energy test ID (Package limit) 360A 100% VDS test Vth 2.9V Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 9669pFQgd 11.5nCApplications

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.