DSU011N08N3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DSU011N08N3A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3102 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL
Búsqueda de reemplazo de DSU011N08N3A MOSFET
DSU011N08N3A Datasheet (PDF)
dsu011n08n3a.pdf

DSU011N08N3A 85V/0.9m/360A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)typ. 0.9mID (Silicon limit) 433A 175C operating temperatureID (Package limit) 360A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 100% avalanche screened Vth 3VCiss@10V 16105pF 100% VDS testQgd 37nCApplications
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: DSG028N10NA | DSP032N08NA | DSU021N10NA | DSG054N10N3 | DHS035N88E
History: DSG028N10NA | DSP032N08NA | DSU021N10NA | DSG054N10N3 | DHS035N88E



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHS052N10B | DHS052N10 | DHS051N10P | DHS046N10I | DHS046N10F | DHS046N10E | DHS046N10D | DHS046N10B | DHS046N10 | DHS030N88I | DHS030N88F | DHS030N88E | DHS030N88 | DHS025N88I | DHS025N88F | DHS025N88E
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