DSU011N08N3A Todos los transistores

 

DSU011N08N3A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DSU011N08N3A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 429 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3102 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
 

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DSU011N08N3A Datasheet (PDF)

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DSU011N08N3A

DSU011N08N3A 85V/0.9m/360A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)typ. 0.9mID (Silicon limit) 433A 175C operating temperatureID (Package limit) 360A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 100% avalanche screened Vth 3VCiss@10V 16105pF 100% VDS testQgd 37nCApplications

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: DSG028N10NA | DSP032N08NA | DSU021N10NA | DSG054N10N3 | DHS035N88E

 

 
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