Справочник MOSFET. DSU011N08N3A

 

DSU011N08N3A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DSU011N08N3A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для DSU011N08N3A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSU011N08N3A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  cn wxdh
 dsu011n08n3a.pdf pdf_icon

DSU011N08N3A

DSU011N08N3A 85V/0.9m/360A N-MOSFET Features Key ParametersVDS AEC-Q101 qualified 85V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)typ. 0.9mID (Silicon limit) 433A 175C operating temperatureID (Package limit) 360A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant 100% avalanche screened Vth 3VCiss@10V 16105pF 100% VDS testQgd 37nCApplications

Другие MOSFET... DSP018N04LA , DSP032N08NA , DSP037N08N3 , DSP038N08NA , DSP051N10N , DSP060N04LA , DSP070N10L3A , DSU007N04NA , 10N60 , DSU021N10NA , DSU023N10N3 , DSU024N10N3A , DSU035N10N3A , DSU035N14N3 , DTD080N07N , DTE025N04NA , DHS031N07P .

History: DSU023N10N3

 

 
Back to Top

 


 
.