DSU011N08N3A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSU011N08N3A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 429 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 360 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSU011N08N3A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSU011N08N3A даташит

 ..1. Size:1271K  cn wxdh
 dsu011n08n3a.pdf pdf_icon

DSU011N08N3A

Другие IGBT... DSP018N04LA, DSP032N08NA, DSP037N08N3, DSP038N08NA, DSP051N10N, DSP060N04LA, DSP070N10L3A, DSU007N04NA, IRFP260N, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, DSU035N14N3, DTD080N07N, DTE025N04NA, DHS031N07P